Методы вытягивания кристаллов из расплава являются наиболее распространенными в промышленном производстве крупных монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических материалов. Принцип вытягивания кристаллов из расплава впервые был предложен немецким ученым Дж. Чохральским в 1916 г. В настоящее время существует значительное количество модификаций этого метода, которые объединяются под общим названием метод Чохральского.
Задание на курсовое проектирование
Исходные данные:
1. Разработать технологический процесс, рассчитать условия легирования и режимы роста монокристалла ЭКМ - 0.1 диаметром 80мм, длинной 1000мм с однордным распределением основной легирующей примеси по длинне слитка при использовании метода двойного капиллярного тигля, обеспечив выход годного материала не менее 80%.
2. Определить концентрацию и массу легирующей примеси, перераспределение остаточных примесей, если их концентрация в исходном материале составляет [Al] - 5·10-5 масс.%, [B] - 2·10-6масс.%
3. Определить выход годного материала.
Содержание
1. Задание на курсовой проект
2. Основные свойства материалов и методы получения монокристаллов
2.1 Общие сведения
2.2 Расшифровка марки кристалла и св-ва материалов входящих в кристалл
2.3 Метод получения поликристаллического
2.4 Метод Чохральского
2.5 Метод двойного капиллярного тигля
3 Теоретическая часть
3.1 Обоснование выбора метода
3.2 Распределение примеси вдоль слитка в методе двойного капиллярного тигля
3.3 Определение массы и концентрации легирующей примеси
3.4 Перераспределение остаточных примесей
4. Расчетная часть
4.1 Расчет массы легирующей примеси и массы загрузки
4.2 Расчет размеров конструкции
4.3 Распределение концентраций легирующих примесей по длине кристалла
4.4 Оценка выхода годного материала
5. Заключение
6. Список литературы
Скачать курсовую работу с решением c Letitbit.net
или
Под этой строчкой в течении 30 секунд появится обещанная Вам ссылка:
2013-06-13 
389.72 KB 
378