Электротехнический-портал.рф

...для студентов ВУЗов электротехнических специальностей и инженеров

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта

Шпаргалка по ТТЭ

Оцените материал
(5 голосов)

Содержание шпаргалки:

ГЛАВА 1. ОБЩИЕ СВЕДЕНИЯ ОБ ЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРАХ

1.1. Классификация

1.2. Режимы, характеристики и параметры электронных приборов
1.3. Модели электронных приборов

ГЛАВА 2. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

2.1. Концентрация носителей заряда в равновесном состоянии полупроводника
2.1.1. Общие сведения
2.1.2. Метод расчета концентраций
2.1.3. Условие электрической нейтральности
2.1.4. Концентрация основных и неосновных носителей в примесных полупроводниках
2.1.5. Положение уровня Ферми в полупроводниках
2.1.6. Распределение носителей заряда по энергии
2.2. Неравновесное состояние полупроводника
2.2.1. Неравновесная и избыточная концентрации носителей заряда
2.2.2. Плотность тока в полупроводнике
2.2.3. Уравнение непрерывности

ГЛАВА 3. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ

3.1. Электрические переходы
3.2. Электронно-дырочный переход в равновесном состоянии
3.2.1. Структура p-n-перехода
3.2.2. Образование p-n-перехода
3.2.3. Энергетическая диаграмма p-n-перехода в состоянии равновесия. Формула для контактной разности потенциалов
3.2.4. Распределение напряженности электрического поля и потенциала в р-n-переходе
3.3. Электронно-дырочный переход в неравновесном состоянии
3.3.1. Потенциальный барьер
3.3.2. Толщина р-n-перехода
3.3.3 Энергетические диаграммы р-n-перехода
3.4. Вольт-амперная характеристика идеализированного р-n-перехода
3.5. Вольт-амперная характеристика реального р-n-перехода
3.5.1. Учет генерации и рекомбинации носителей заряда в обедненном слое
3.5.2. Учет сопротивлений областей
3.5.3. Пробой р-n-перехода
3.6. Параметры и модель р-n-перехода в динамическом режиме
3.6.1. Дифференциальное сопротивление
3.6.2. Барьерная емкость
3.6.3. Диффузионная емкость
3.6.4. Малосигнальная модель p-n-перехода
3.7. Частотные свойства p-n-перехода
3.8. Импульсные свойства р-n-перехода
3.8.1. Переходные процессы при скачкообразном изменении полярности напряжения
3.8.2. Переходные процессы при воздействии импульса прямого тока
3.9. Контакт металл - полупроводник и гетеропереходы
3.9.1. Контакты металл полупроводник
3.9.2. Гетеропереходы

ГЛАВА 4. РАЗНОВИДНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

4.1. Классификация
4.2. Выпрямительные диоды
4.3. Стабилитроны и стабисторы
4.4. Универсальные и импульсные диоды
4.5. Варикапы
4.6. Туннельные и обращенные диоды
4.7. Шумы полупроводниковых диодов

ГЛАВА 5. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

5.1. Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы
5.1.1. Общие сведения
5.1.2. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе
5.1.3. Влияние режимов работы БТ на токи электродов
5.2. Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла)
5.3. Статические характеристики биполярных транзисторов
5.3.1. Схема с общей базой
5.3.2. Схема с общим эмиттером
5.3.3. Влияние температуры на статические характеристики БТ
5.3.4. Зависимость коэффициентов передачи тока от электрического режима работы БТ
5.4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме
5.5. Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде
5.5.1. Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале
5.5.2. Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник
5.6. Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора
5.6.1. Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора
5.6.2. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
5.7. Частотные свойства биполярного транзистора
5.7.1. Постановка задачи
5.7.2. Зависимость коэффициента инжекции
5.7.3. Зависимость коэффициента переноса от частоты
5.7.4. Частотная зависимость эффективности коллекторного перехода
5.7.5. Частотная зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общей базой
5.7.6. Частотная зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
5.7.7. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
5.8. Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе
5.8.1. Переходные процессы в биполярном транзисторе при скачке входного тока
5.8.2. Статический режим ключевой схемы на биполярном транзисторе
5.8.3. Переходные процессы в простейшем ключе в схеме с ОЭ
5.9. Шумы биполярных транзисторов

ГЛАВА 6. ТИРИСТОРЫ

6.1. Транзисторная модель диодного тиристора (динистора)
6.2. Вольт-амперная характеристика динистора
6.3. Тринистор
6.4. Симметричные тиристоры (симисторы)
6.5. Переходные процессы и динамические параметры

ГЛАВА 7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ

7.1. Общие сведения
7.2. Полевой транзистор с управляющим р-n-переходом
7.2.1. Устройство и принцип действия
7.2.2. Статические характеристики
7.3. Полевой транзистор с управляющим переходом типа металл - полупроводник
7.4. Идеализированная структура металл-диэлектрик - полупроводник
7.4.1. Общие сведения о МДП-структуре
7.4.2. Физические процессы в идеализированной МДП-структуре.
7.4.3. Особенности реальной МДП-структуры
7.5. Полевой транзистор с изолированным затвором
7.5.1. Уравнение тока стока и статические характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом
7.5.2. МДП-транзистор со встроенным каналом
7.5.3. Параметры МДП-транзисторов
7.5.4. Особенности МДП-транзисторов с коротким каналом
7.6. Электрические модели полевых транзисторов
7.6.1. Статическая модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
7.6.2. Нелинейная динамическая модель полевого транзистора с управляющим переходом
7.6.3. Малосигнальная модель полевого транзистора с управляющим р-n-переходом
7.6.4. Нелинейная динамическая модель МДП-транзистора
7.6.5. Малосигнальная модель МДП-транзистора
7.7. Шумы полевых транзисторов
7.7.1. Шумы полевых транзисторов с управляющим р-n-переходом
7.7.2. Шумы МДП-транзисторов

ГЛАВА 8. КОНСТРУКТИВНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

8.1. Классификация изделий микроэлектроники. Термины и определения
8.2. Типовые технологические процессы и операции создания полупроводниковых ИС
8.2.1. Подготовительные операции
8.2.2. Эпитаксия
8.2.3. Термическое окисление
8.2.4. Легирование
8.2.5. Травление
8.2.6. Литография
8.2.7. Нанесение тонких пленок
8.2.8. Пленочные проводниковые соединения и контакты
8.2.9. Разделение пластин на кристаллы и сборочные операции
8.3. Способы электрической изоляции элементов полупроводниковых ИС
8.3.1. Общие сведения
8.3.2. Изоляция p-n-переходом
8.3.3. Изоляция коллекторной диффузией
8.3.4. Изоляция диэлектрическими пленками
8.3.5. Совместная изоляция p-n-переходом и диэлектрическими пленками
8.3.6. Интегральные схемы на непроводящих подложках

ГЛАВА 10. ОСНОВЫ АНАЛОГОВЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ

10.1. Усилительные каскады ИС
10.1.1. Особенности аналоговых ИС
10.1.2. Усилительный каскад на биполярном транзисторе в схеме с общим эмиттером
10.1.3. Усилительный каскад на МДП-транзисторе в схеме с общим истоком
10.2. Повторители напряжения
10.2.1. Эмиттерный повторитель
10.2.2. Истоковый повторитель
10.3. Усилительный дифференциальный каскад
10.4. Источники стабильного тока
10.5. Каскады сдвига потенциальных уровней
10.6. Операционный усилитель
10.6.1. Структурная схема и параметры
10.6.2. Два основных включения операционного усилителя

ГЛАВА 12. ПОВЫШЕНИЕ СТЕПЕНИ ИНТЕГРАЦИИ И НАПРАВЛЕНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

12.1. Проблемы повышения степени интеграции
12.2. Матричные БИС
12.3. Функциональная электроника -перспективное направление в микроэлектронике
12.4. Элементы функциональной электроники на поверхностных акустических волнах
12.5. Элементы функциональной электроники на цилиндрических магнитных доменах
12.6. Устройство и принцип действия прибора с зарядовой связью

ГЛАВА 14. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ ДЛЯ ОТОБРАЖЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРИБОРЫ

14.1. Электронно-лучевые приборы
14.1.1. Классификация
14.1.2. Устройство и принцип действия ЭЛТ с электростатическим управлением
14.1.3. Электронный прожектор с электростатической фокусировкой
14.1.4. Электронный прожектор с магнитной фокусировкой
14.1.5. Электростатическая отклоняющая система ЭЛТ
14.1.6. Магнитная отклоняющая система ЭЛТ
14.1.7. Экраны электронно-лучевых трубок
14.1.8. Основные типы электронно-лучевых трубок.
14.2. Электросветовые приборы
14.3. Оптоэлектронные индикаторы
14.3.1. Классификация
14.3.2. Активные индикаторы
14.3.3. Пассивные индикаторы
14.4. Фотоэлектрические приборы
14.4.1. Электровакуумные фотоэлектрические приборы
14.4.2. Фотопроводимость полупроводников
14.4.3. Фоторезисторы
14.4.4. Фотодиоды
14.4.5. Фотоэлементы
14.4.6 P-i-n-фотодиоды и лавинные фотодиоды
14.4.7. Фототранзисторы
14.4.8. Полевые фототранзисторы
14.4.9. Фототиристоры
14.5. Оптопары

ГЛАВА 16. ЛАМПЫ БЕГУЩЕЙ ВОЛНЫ

16.1. Общие сведения
16.2. Замедляющие системы
16.2.1. Принцип действия и типы замедляющих систем
16.2.2. Параметры замедляющих систем
16.3. Конструкция и принцип действия ЛБВ
16.4. Элементы линейной теории ЛБВ
16.5. Характеристики и параметры ЛБВ
16.5.1. Амплитудная характеристика
16.5.2. Коэффициент усиления
16.5.3. Коэффициент полезного действия
16.5.4. Амплитудно-частотная характеристика
16.5.5. Фазовые и шумовые характеристики
16.6. Тенденции развития электровакуумных приборов с длительным взаимодействием и их применение в технике связи

ГЛАВА 18. ЛАВИННО-ПРОЛЕТНЫЕ ДИОДЫ

18.1. Взаимодействие носителей заряда с кристаллической решеткой в сильном электрическом поле
18.2. Статический режим работы ЛПД. Лавинный пробой p+-n-перехода
18.3. Принцип действия генератора на ЛПД
18.4. Элементы нелинейной теории ЛПД
18.4.1. Процессы в слое умножения
18.4.2. Процессы в области дрейфа
18.4.3. Эквивалентная схема и высокочастотное сопротивление ЛПД
18.4.4. Высокочастотная мощность и КПД автогенератора на ЛПД
18.5. Конструкции, параметры и применение генераторов на ЛПД
18.6. СВЧ-усилители и умножители частоты на ЛПД
18.6.1. Регенеративные усилители на ЛПД
18.6.2. Усиление мощности в режиме синхронизации
18.6.3. Умножители частоты на ЛПД

ГЛАВА 20. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ КВАНТОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

20.1. Квантовые переходы и вероятности излучательных переходов
20.2. Ширина спектральной линии

20.3. Возможность усиления электромагнитного поля в квантовых системах


Скачать c Letitbit.net

или

Для скачивания файла поделитесь ссылкой с друзьями.
После этого под кнопками появится ссылка на скачивание файла "Шпаргалка по ТТЭ"


Под этой строчкой в течении 30 секунд появится обещанная Вам ссылка:
Прочитано 3619 раз

Основное меню

Авторизация

реферат цена заказать | медицинские справки купить Варшавская

© 2016 Электротехнический портал. Все права защищены.

Яндекс.Метрика