Электротехнический-портал.рф

...для студентов ВУЗов электротехнических специальностей и инженеров

  • Увеличить размер шрифта
  • Размер шрифта по умолчанию
  • Уменьшить размер шрифта
Главная Курсовые, к/работы Технология материалов и элементов электронной техники Курсовая работа "Выращивание монокристала с заданными свойствами"

Курсовая работа "Выращивание монокристала с заданными свойствами"

Оцените материал
(4 голосов)

Методы вытягивания кристаллов из расплава являются наиболее распространенными в промышленном производстве крупных монокристаллов полупроводниковых и диэлектрических материалов. Принцип вытягивания кристаллов из расплава впервые был предложен немецким ученым Дж. Чохральским в 1916 г. В настоящее время существует значительное количество модификаций этого метода, которые объединяются под общим названием метод Чохральского.

 

Задание на курсовое проектирование

Исходные данные:

1. Разработать технологический процесс, рассчитать условия легирования и режимы роста монокристалла ЭКМ - 0.1 диаметром 80мм, длинной 1000мм с однордным распределением основной легирующей примеси по длинне слитка при использовании метода двойного капиллярного тигля, обеспечив выход годного материала не менее 80%.

2. Определить концентрацию и массу легирующей примеси, перераспределение остаточных примесей, если их концентрация в исходном материале составляет [Al] - 5·10-5 масс.%, [B] - 2·10-6масс.%

3. Определить выход годного материала.

Содержание

1. Задание на курсовой проект 
2. Основные свойства материалов и методы получения монокристаллов
2.1 Общие сведения 
2.2 Расшифровка марки кристалла и св-ва материалов входящих в кристалл
2.3 Метод получения поликристаллического
2.4 Метод Чохральского
2.5 Метод двойного капиллярного тигля
3 Теоретическая часть
3.1 Обоснование выбора метода
3.2 Распределение примеси вдоль слитка в методе двойного капиллярного тигля
3.3 Определение массы и концентрации легирующей примеси
3.4 Перераспределение остаточных примесей
4. Расчетная часть
4.1 Расчет массы легирующей примеси и массы загрузки
4.2 Расчет размеров конструкции
4.3 Распределение концентраций легирующих примесей по длине кристалла
4.4 Оценка выхода годного материала 
5. Заключение 
6. Список литературы


Скачать курсовую работу с решением c Letitbit.net

или

Для скачивания файла поделитесь ссылкой с друзьями.
После этого под кнопками появится ссылка на скачивание файла "Выращивание монокристала с заданными свойствами"


Под этой строчкой в течении 30 секунд появится обещанная Вам ссылка:
Прочитано 1060 раз

Основное меню

Авторизация


© 2016 Электротехнический портал. Все права защищены.

Яндекс.Метрика